我們將不斷超越自我,一如既往地為客戶創(chuàng)造價(jià)值,努力以更加優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)贏得客戶的長(zhǎng)久信任!
功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商AOS萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體推出業(yè)界第一個(gè)單N溝道45V MOSFET:AON6152, 在10V Vgs 時(shí)Rdson可達(dá)到超低1.15mohm。
功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體(AOS)推出AOZ5049,是AOS第四代第一款EZPair封裝的高效率功率模塊。
村田制作所擴(kuò)大了溫度補(bǔ)償用多層陶瓷電容器 1206尺寸 (3.2×1.6mm) 、25V產(chǎn)品的靜電容量,從0.022μF提升至0.47μF。
村田制作所實(shí)現(xiàn)了0805尺寸 (2.0×1.25mm) 、125℃保證、10μF、25V的多層陶瓷電容器的商品化。
村田制作所實(shí)現(xiàn)了0201尺寸(0.6×0.3mm)、0.1μF高溫保證(125℃/X7S特性/16V)的多層陶瓷電容器的商品化。
為了解決這個(gè)問題,村田公司對(duì)于安裝在所有電子設(shè)備中的多層電容器,實(shí)施了125℃保證和完成了大容量化的產(chǎn)品。
國(guó)巨官網(wǎng)消息,2016年8月國(guó)巨公司合并營(yíng)收為NT$25.4億元,較上月成長(zhǎng)1.6%,較去年同月則成長(zhǎng)8.2%。
在阻抗匹配時(shí),如想要獲得更好的特性,要在最適合化設(shè)計(jì)時(shí)對(duì)L值進(jìn)行微調(diào)。村田公司在0.4至4.3nH范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了0.1nH間隔的產(chǎn)品線,可構(gòu)成更適合的匹配電路。
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