功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商AOS萬國半導(dǎo)體推出業(yè)界第一個單N溝道45V MOSFET：AON6152， 在10V Vgs 時Rdson可達到超低1.15mohm。

AON6152提供了極高的電源轉(zhuǎn)換效率及具有高驅(qū)動能力來降低開關(guān)功率損耗的最優(yōu)性能。此產(chǎn)品拓寬了AOS的中壓產(chǎn)品組合的應(yīng)用范圍，包括AC/DC和DC/DC變換器副邊同步整流，以及工業(yè)和電機驅(qū)動的應(yīng)用。

AON6152使用了AOS先進的工藝技術(shù)，作為AC/DC或DC/DC變換器的副邊同步整流，可顯著降低功耗，并最大限度地提高轉(zhuǎn)換效率。AON6152漏源擊穿電壓（BVDSS）達到45V，且具有超低的Rdson 1.15mohm。AON6152使設(shè)計工程師能夠獲得最高的效率，同時又滿足可靠的電壓余量優(yōu)化設(shè)計的要求。AON6152 封裝為DFN5x6及100%的RG和UIS雪崩測試。

AOS的MOSFET產(chǎn)品線市場總監(jiān)馮雷說：“AON6152是一個新的里程碑，該產(chǎn)品不僅簡單易用且能達到效率更高，更好的熱性能，以及更高的功率密度的性能。該產(chǎn)品可提供電源設(shè)計師設(shè)計更低溫度及提高系統(tǒng)整體可靠性產(chǎn)品的解決方案”。

凡本網(wǎng)站未注明“文章來源”的所有作品，版權(quán)均屬于億芯盛（www.10086f.cn），轉(zhuǎn)載請經(jīng)億芯盛授權(quán)。

凡本網(wǎng)站注明“文章來源”的信息，均轉(zhuǎn)載自其他媒體，轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息，并不代表我司贊同其觀點及對其真實性負責(zé)。