我們將不斷超越自我,一如既往地為客戶創(chuàng)造價(jià)值,努力以更加優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)贏得客戶的長(zhǎng)久信任!
模擬半導(dǎo)體公司SiTime宣布,所有SiTime的MEMS振蕩器和時(shí)鐘發(fā)生器都將納入終身質(zhì)保范圍。
法人預(yù)期,國(guó)巨今年?duì)I收仍可挑戰(zhàn)成長(zhǎng)5%,車(chē)用產(chǎn)品預(yù)估占直接銷售比重達(dá)6%。
看好物聯(lián)網(wǎng)、車(chē)電應(yīng)用,被動(dòng)元件大廠國(guó)巨將插旗感測(cè)元件(Sensor),目前國(guó)巨手上有高達(dá)123億元現(xiàn)金,若評(píng)估具體,不排除直接并購(gòu)核心團(tuán)隊(duì),快速建立技術(shù)門(mén)檻。
電容器的好壞可用萬(wàn)用表的電阻擋檢測(cè)。檢測(cè)時(shí),據(jù)電容器容量的大小,100μF以上的電容器用“R×100”擋,1~100μF的電容器用“R×1k”擋,1μF以下的電容器用“R×10k”擋。
功率半導(dǎo)體及芯片制造商萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體AOS兩款產(chǎn)品AOTF11C60 和 AOTF20C60 -采用AlphaMOS II 技術(shù)的600V MOSFET。
以上型號(hào)ATC電容是118系列,外形尺寸H,介質(zhì)代碼A,0.5pF,容值容差代碼B(±0.1pF),直流額定工作電壓100V,薄膜工藝鍍金終端。
ATC電容118系列單側(cè)縮小金屬噴鍍單層電容——用導(dǎo)電樹(shù)脂或焊錫安裝單層電容時(shí)可能使粘焊料溢出而造成電容的兩電極短路,此電容的特殊設(shè)計(jì)使正面電極邊緣向內(nèi)縮小由此可以減低這
SiTime的TempFlatMEMS是一個(gè)革命性的突破,通過(guò)消除溫度補(bǔ)償需求,大幅度的促進(jìn)了性能的提高,尺寸的縮小,功耗和成本的降低。
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