功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體AOS推出的AOZ5006是一個(gè)高效率的6mm×6mm功率MOSFET模塊，完全兼容英特爾的DrMOS規(guī)范。它也集成了一個(gè)雙柵極驅(qū)動(dòng)器和高低側(cè)MOSFET，以提供一個(gè)高效率的DC-DC同步降壓功率級(jí)。它可用來(lái)實(shí)現(xiàn)高功率密度的降壓解決方案，適合于服務(wù)器、圖形卡和高端臺(tái)式PC應(yīng)用市場(chǎng)。

AOZ5006采用了AOS專有的最新溝道MOSFET技術(shù)來(lái)在開關(guān)和導(dǎo)通損耗之間實(shí)現(xiàn)一個(gè)最佳的平衡。與此同時(shí)，它還利用AOS先進(jìn)的封裝技術(shù)來(lái)進(jìn)一步改善效率和熱性能。在一個(gè)典型的開關(guān)頻率為300KHz的12V輸入到1.2V輸出應(yīng)用中，它允許在21A輸出時(shí)達(dá)到超過(guò)90%的效率。與TI的NexFET模塊性能相當(dāng)接近。

“AOZ5006可滿足高端計(jì)算應(yīng)用不斷上升的功率密度要求，而且整個(gè)解決方案的尺寸與分立解決方案相比可減小三分之二。”AOS功率IC產(chǎn)品部產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān)Song Qu說(shuō)，“此外，柵極驅(qū)動(dòng)器和MOSFET之間的寄生電感也降到了最小，從而允許高達(dá)1MHz的開關(guān)頻率和更快的動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間。”

AOZ5006可與廣泛的模擬和數(shù)字PWM控制器一起工作，采用QFN封裝，外形尺寸為6×6mm。

凡本網(wǎng)站未注明“文章來(lái)源”的所有作品，版權(quán)均屬于億芯盛（www.10086f.cn），轉(zhuǎn)載請(qǐng)經(jīng)億芯盛授權(quán)。

凡本網(wǎng)站注明“文章來(lái)源”的信息，均轉(zhuǎn)載自其他媒體，轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息，并不代表我司贊同其觀點(diǎn)及對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé)。