萬國半導(dǎo)體（AOS）推出具有行業(yè)領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。

產(chǎn)品上應(yīng)用了AOS的AlphaMOS專利技術(shù)。這些技術(shù)的好處在于它可以延長電池的使用壽命，還可以使設(shè)計變的更簡單緊湊，適用于便攜式產(chǎn)品，例如：平板電腦、智能手機(jī)，電子書、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)及便攜式音樂播放器。

AON7421和AON7423是20V P溝道MOSFET，它們的RDS（ON）是目前市面上具有相同封裝的同類產(chǎn)品中最低的。在柵極電壓為2.5V時，AON7421的RDS（ON）比其它競爭者要低20%。AON7423是一款低開啟門限電壓的MOSFET，低至1.5V，適合應(yīng)用在低電壓范圍的負(fù)載切換。所有的產(chǎn)品都是無鹵的而且出廠時會100%檢測Rg和UIS。

AOS低壓MOS的負(fù)責(zé)人Peter Wilson介紹：“AOS長期致力于給客戶提供高效能的電源解決方案。這個系列的20V P溝道AlphaMOS產(chǎn)品設(shè)定了高功率密度和高效能的新基準(zhǔn)，符合了延長電池壽命的要求。”

凡本網(wǎng)站未注明“文章來源”的所有作品，版權(quán)均屬于億芯盛（www.10086f.cn），轉(zhuǎn)載請經(jīng)億芯盛授權(quán)。

凡本網(wǎng)站注明“文章來源”的信息，均轉(zhuǎn)載自其他媒體，轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息，并不代表我司贊同其觀點及對其真實性負(fù)責(zé)。